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磷化铟:AI算力驱动光芯片需求,产业链景气上行与国产替代加速(2026年 20页)

分类:研究报告

标签:磷化铟、光模块、高纯铟、国产替代

摘要:磷化铟(InP)是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,凭借高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等特性,成为光通信芯片的核心衬底材料。在AI算力需求爆发的背景下,云端大模型部署于万卡乃至十万卡规模的服务器集群,对数据传输速率与稳定性提出极高要求,800G、1.6T高速光模块成为全行业刚需。据LightCounting预测,2026年800G与1.6T光模块合计市场规模有望达146亿美元,占整体光模块市场约64%;2026年全球800G光模块预计出货3350万只,1.6T光模块需求达860万—2000万只。光芯片是光模块性能的决定性因素,磷化铟衬底用于制备FP、DFB、EML边发射激光器芯片及PIN、APD探测器芯片,主要服务于电信与数据中心等中长距离传输场景。 从市场规模看,据Yole预测,2026年全球磷化铟衬底(折合二英寸)销量预计为128万片,2019—2026年复合增长率14.4%;2026年市场规模约2亿美元,同期复合增长率12.4%。竞争格局高度集中,2020年全球前三大厂商占据90%以上市场份额,其中日本住友占比42%、北京通美36%、日本JX 13%。磷化铟扩产受制于认

来源:zuudee | 日期:2026-08-09 | 格式:pdf | 页数:20

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