微导纳米：ALD技术持续突破，半导体业务进入加速期（22页，2026年）

分类：半导体电子

标签：半导体设备、ALD、薄膜沉积、CVD、国产替代、晶圆厂扩产

摘要：微导纳米（688147）成立于2015年，以光伏ALD设备产业化起步，现加速向半导体薄膜沉积平台型厂商转型。2025年公司实现营业收入26.33亿元（受光伏行业周期调整同比-2.47%），其中半导体设备收入8.81亿元、同比+169.12%，占主营业务收入比重升至33.49%；截至2024年末半导体在手订单15.05亿元、同比+65.91%。2026Q1营收4.82亿元，半导体业务规模效应尚待释放。 一、ALD技术优势与需求驱动。薄膜沉积设备主要包括PVD、CVD、ALD三类；ALD通过前驱体交替脉冲反应以单原子层逐层沉积，在膜厚控制、薄膜均匀性、阶梯覆盖率和致密性方面优势突出，特别适合先进节点与三维结构。随逻辑芯片由平面转向FinFET/GAA三维结构，High-k栅介质（如HfO₂）对原子级膜厚控制要求提升，ALD成为关键工艺；到1.4nm节点晶体管相关层预计占全部ALD层数约60%（高于2nm节点的50%）。存储端，DRAM下一代4F²架构、HBM前道与封装、3D NAND深孔/字线钨填充（约50:1垂直通道、10:1横向结构）均提升ALD应用强度；FeRAM、RRAM、IGZO

来源：zuudee | 日期：2026-08-27 | 格式：PDF | 页数：22