Xtacking：长江存储技术突破（33页，2026年）

分类：半导体电子

标签：Xtacking、长江存储、3D NAND、闪存、晶圆键合、国产替代、半导体设备

摘要：报告聚焦长江存储自主创新的 Xtacking 架构及其在 3D NAND 闪存领域的技术突破，剖析该架构如何重塑闪存芯片的制造逻辑，并带动国产半导体供应链的协同进步。Xtacking 是长江存储提出的异构集成技术，将存储单元阵列与外围逻辑电路分别在两片晶圆上加工，再通过晶圆键合（wafer bonding）垂直互联，从而解耦两类工艺的制程约束。 核心结论方面，Xtacking 的核心价值在于让存储阵列与外设 CMOS 采用各自最优的工艺节点，阵列可追求更高的堆叠层数而不受逻辑电路微缩限制，外围电路则能用更先进制程提升接口速度与能效。这种解耦使长江存储在堆叠层数、读写带宽与芯片面积效率上取得差异化优势，是国内 NAND 闪存实现技术自主的关键路径。 关键数据与市场规模层面，全球 NAND 闪存市场由少数国际巨头主导，AI 服务器、高速接口与终端存储扩容带动位元需求结构性增长。报告梳理了长江存储 Xtacking 架构从早期代际到更高层数产品的演进节点，以及在良率、堆叠层数（如 200 层以上级别）与接口速率上的进步。3D NAND 的层数竞赛本质是资本开支、刻蚀与键合良率的综合比拼，

来源：zuudee | 日期：2026-08-27 | 格式：PDF | 页数：33