电子行业半导体超级周期系列：磷化铟衬底，光连接之“基”（30页，2026年）

分类：半导体电子

标签：磷化铟、InP衬底、光模块、AI数据中心、光通信、半导体材料、国产替代、出口管制、高纯铟、供需错配

摘要：国联民生证券发布电子行业专题报告，系统梳理磷化铟（InP）衬底产业链。InP衬底是800G与1.6T高速光模块中EML、DFB激光器及高速探测器的核心材料，天然匹配1310nm与1550nm“黄金波长”，支持500米至10公里以上的数据中心互连。 需求端受AI数据中心建设拉动显著。随着AI算力集群规模扩张，Lumentum的EML激光器出货量FY20至FY26E增长超8倍，直接带动InP衬底需求。据中国粉体网数据，2025年全球InP衬底需求约210万片，2027年有望突破400万片。供给端则高度集中且约束重重，住友电工、AXT、JX金属三家合计市占率超90%；受长晶设备交付周期长、客户认证壁垒高、高纯红磷进口收紧及出口管制等影响，供需严重错配。价格弹性显著：2英寸InP衬底从2025年初800美元/片升至2026年4月的2300至2500美元/片（涨幅近2倍），6英寸从1400美元涨至5000美元（涨幅超2.5倍），第四季度预计继续涨价超10%。 产业化壁垒较高。高温下磷元素蒸气压高、易挥发，需精确控制温度、压力与生长环境；InP对杂质污染与热应力敏感，细微波动即影响后续外延与器件性

来源：zuudee | 日期：2026-10-27 | 格式：PDF | 页数：30