存储行业专题：存储延续涨价，重点关注核心企业业绩落地（20页，2026年）

分类：半导体电子

标签：存储芯片、DRAM、NAND、HBM、存储涨价、半导体周期、国产替代、长江存储、长鑫存储、存储模组

摘要：本报告聚焦存储行业景气度，核心观点认为存储板块已进入由人工智能算力需求驱动的结构性景气周期，产业景气正从前期单纯的涨价预期驱动，逐步转向对企业业绩落地的验证阶段。高端高带宽存储（HBM）与服务器存储供需偏紧，普通消费级存储弹性减弱，品类间景气度分化明显，产业景气延续但结构分化加剧。 从价格数据看，2026年10月DRAM指数报4407.53点续创阶段新高，年初以来累计上涨约72%；NAND指数报2959.28点高位震荡，年初以来上涨约49%。现货与合约价格全面上行，DDR5 16Gb月环比上涨约10%，NAND现货MLC领涨、合约价SLC领涨，涨价向低密度与eTT颗粒扩散。2026年三季度存储器件交期普遍拉长、价格上行，四十余款产品中近九成价格上行；原厂财报超预期兑现，美光、三星、SK海力士等业绩表现亮眼。台股存储厂9月合计营收约1281亿新台币，同比增长约287%，其中南亚科以约577%的同比增速居首，创见环比增长约25%领跑。 供给端约束支撑周期延续：海外原厂扩产谨慎，新增有效产能释放偏慢，国内长江存储、长鑫存储持续推进国产替代，上游设备、材料、零部件受益于产线资本开支。产业链可沿

来源：zuudee | 日期：2026-10-18 | 格式：PDF | 页数：20