电子行业光电芯片系列研究一(高速PD):AI光互联持续升级,挖掘高速PD细分产业机遇(14页,2026年)
分类:半导体电子
标签:光通信、光电芯片、高速PD、光模块、800G、1.6T、200G/lane、InGaAs、硅光、光互联、国产替代、财通证券
摘要:财通证券2026年9月发布电子行业光电芯片系列首篇,聚焦AI数据中心光互联链条中的高速光电探测器(PD)环节。报告判断,随着AI算力集群规模扩张、光模块由400G向800G与1.6T升级,单通道速率自100G每lane向200G每lane演进,PD这一长期被视为成熟基础光器件的器件,其重要性正在重新抬升。 产业数据上,据LightCounting统计,2025年超大规模云厂商AI基础设施投资推动800G PAM4芯片组出货量增长近两倍、销售额同比增长超过一倍;2026年800G光模块出货量预计同比增长超过一倍,1.6T则从2025年的较小基数快速增长至数千万端口量级,对应芯片组销售额预计超过20亿美元。此前400G及部分800G光模块主要建立在100G每lane光学基础之上,例如800G DR8采用8×100G光通道;进入1.6T规模部署窗口后,在模块尺寸、功耗与光纤数量约束下,提高单通道速率成为提升总带宽的主要路径。 技术要求随之抬升:200G每lane对PD的带宽、低结电容、低暗电流及高频封装提出更高要求,PD与TIA之间的匹配、封装寄生效应对接收端性能的影响进一步放大,产业竞
来源:zuudee | 日期:2026-10-01 | 格式:PDF | 页数:14
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